铠侠（Kioxia）和西部数据宣布，推出218层3D NAND闪存。其采用了先进的缩放和晶圆键合技术，以极具吸引力的成本提供了卓越的容量、性能和可靠性，非常适合满足广泛细分市场中数据呈指数级增长的存储需求。
铠侠和西部数据通过引入几个独特的工艺和架构来降低成本，实现了持续的横向扩展。这次在垂直和横向扩展之间取得了平衡，可以在更小的芯片中生产出更大的容量，而且层数更少，成本也得到了优化。双方开发了开创性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的，然后粘合在一起，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。
据了解，218层3D NAND闪存是利用了1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）的四个平面，通过创新的横向收缩技术，将位密度提高了50%以上。其NAND I/O接口速度超过了3.2Gb/s，比上一代产品提高了60%，再加上写入性能和读取延迟有着20%的提升幅度，将加速用户的整体性能和可用性。
铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示，很高兴通过与西部数据独特的工程合作，成功地推出了具有业界最高1位密度的第八代BiCS FLASH，目前已开始向部分客户提供样品，未来将用于一系列以数据为中心的应用，包括智能手机、物联网设备和数据中心。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：铠侠和西部数据发布218层3D NAND闪存
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