美光发布232层3D NAND闪存,相关固态硬盘明年问世

美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存,该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品,包括固态硬盘,并计划在 2022 年底左右开始量产此类芯片。美光的 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构,原始容量为 1Tb(128GB)。该芯片基于美光的 CuA 架构,并使用 NAND 字符串堆叠技术,在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。

  CuA 设计加上 232 层 NAND,将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸,这有望降低生产成本,使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价,或者增加其利润率。
美光没有宣布其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面数量,但暗示与现有的 3D NAND 设备相比,新的内存将提供更高的性能,这对采用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特别有用。
谈到固态硬盘,美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出,该公司已经与内部和第三方 NAND 控制器(用于固态硬盘和其他基于 NAND 的存储设备)的开发者密切合作,以实现对新型内存的支持。 [原文链接]

美光发布232层3D NAND闪存

上一篇:

下一篇:

发表回复

登录后才能评论
业务联系
分享本页
返回顶部