慧荣科技(SIMO.US)宣布推出SM2268XT,为其最新的高性能PCIe Gen4 SSD控制器解决方案,专为高速NAND传输速率而优化。据悉,SM2268XT卓越的性能和强大的可靠性使客户能够使用当前和未来的TLC和QLC 3D NAND闪存加快下一代SSD的开发,并具有全面的数据完整性和校正功能,而不会影响吞吐量和延迟。
慧荣 SM2268XT采用PCIe 4.0 通道设计,支持最新 3200 MT / s 闪存,SM2268XT 采用双核 ARM R8 CPU,支持四通道 3200 MT / s NAND,支持 TLC 和 QLC 闪存。
参数方面,搭载该系列主控的 SSD 将可实现 7400 MB/s 和 6500 MB/s 顺序读写速度,以及 1200K IOPS 的随机读写速度。
根据慧荣之前公布的路线图,SM2268XT 主控将采用 12nm 工艺,预计新一代主打低功耗的无 DRAM PCIe 4.0 SSD 将采用慧荣这款 SM2268XT 主控。
参数
SM2268XT 采用双核 ARM R8 CPU,具有四通道 16Gb/s PCIe 数据流,并支持四个 NAND 通道,每个通道速度高达 3,200 MT/s,使设计人员能够利用更高吞吐量的下一代高速薄层色谱和 QLC 3D NAND 闪存。其多核设计可自动平衡计算负载,提供业界领先的 7,400 MB/s 和 6,500 MB/s 顺序读写速度,以及 1,200K IOPS 的随机读写速度。此外,其先进的架构可实现更低的功耗和严格的数据保护,在经济高效的无 DRAM PCIe Gen4 NVMe SSD 解决方案中提供高性能和可靠性。
SM2268XT 提供了一种新的系统总线架构、主机内存缓冲区 (HMB) 功能和Silicon Motion 的最先进的第 8 代 NANDXtend® ECC 技术,具有性能优化的 4KB LDPC 引擎和 RAID,可最大限度地提高纠错能力。SM2268XT专为下一代经济高效的TLC和QLC 3D NAND闪存而设计,可为从性能到主流再到价值更广泛的笔记本电脑提供高价值SSD。
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