美光推出UFS 4.0移动存储解决方案：采用232层3D TLC 闪存

2023年6月25日下午3:55 • 新闻 • 阅读 181

前言

美光宣布推出首个UFS 4. 0移动存储解决方案。这个解决方案采用了美光独有的低功耗控制器、232层NAND闪存和可配置的固件架构，提供了卓越的性能。美光的UFS 4.0闪存拥有256GB、512GB和1TB三种容量选择，是首个基于232层3D TLC NAND闪存和六平面NAND架构的UFS 4. 0存储产品。它拥有最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。美光计划在2023年下半年开始批量生产UFS 4.0存储产品，为移动生态系统提供高性能移动闪存，促进下一波5G和人工智能的创新与设备体验。

美光科技已宣布推出其首款 UFS 4.0 移动存储解决方案，并已开始向部分智能手机制造商和产品供应商发送样品。这款解决方案在许多重要的 NAND 基准测试中胜过了其竞争对手，并能为智能手机提供卓越的性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载。

美光移动业务部副总裁兼总经理 Mark Montierth 介绍说，该公司的最新移动解决方案将UFS 4.0技术、专属的低功耗控制器、232层 NAND 闪存和高度可配置的固件架构紧密结合在一起，以提供卓越的性能。他强调这些技术使美光在为客户提供他们需要的性能和低功耗创新方面处于领先地位，从而为旗舰智能手机提供了卓越的用户体验。

美光的 UFS 4.0 闪存有三种不同的容量选择：256GB、512GB和1TB。这是他们首款基于232层 3D TLC NAND 闪存的移动解决方案，也是全球首款采用六平面 NAND 架构的 UFS 4.0 存储产品，它提供了最高4300 MB/s 的顺序读取速度和最高 4000 MB/s 的顺序写入速度。美光预计在2023年下半年开始批量生产UFS 4.0存储产品，以为移动生态系统提供高性能的移动闪存，从而助力下一波5G和人工智能的创新与设备体验。

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