在今年7月，业界领先的半导体制造商美光，成功研发出了业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2。这一创新产品在技术上取得了重大突破，相比目前出货的HBM3解决方案，其性能提高了惊人的50%。
在最近的财报电话会议上，美光透露已经向部分重要客户提供了HBM3 Gen2的样品。据客户反馈，其性能之强和功耗之低均超出了预期。一些客户在实际测试之前甚至表示怀疑，但当他们看到实际数据时，纷纷被这一创新产品所震撼。相比竞争对手的样品，美光的HBM3 Gen2展现出了显著的优势。
美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在会议上表示，人工智能（AI）业务将成为公司未来的重要增长点，预计将为美光带来数以亿计美元的收入。他希望通过这股AI热潮能够帮助美光走出目前的财务困境。
一直以来，美光都与图形处理器制造商英伟达保持着紧密的合作关系。预计HBM3 Gen2将会在2024年英伟达面向AI和高性能计算（HPC）市场推出的新一代GPU上首次亮相。这一合作无疑将进一步推动HBM3 Gen2在业界的应用和认可。
据美光的介绍，HBM3 Gen2产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能（AI）数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录。这一创新产品可以减少AI等大型语言模型的训练时间，同时提供了卓越的总拥有成本（TCO）。
美光HBM3 Gen2解决方案的核心是其先进的1β（1-beta）工艺。通过这一工艺，美光在行业标准封装尺寸内成功地将24GB DRAM芯片组成了一个8层垂直堆叠的立方体。这种紧凑的设计使得HBM3 Gen2在保持高性能的同时，也拥有了更小的体积和更低的功耗。
除了已经推出的8层垂直堆叠的24GB容量产品外，美光还在积极研发12层垂直堆叠的单品36GB DRAM芯片。与现有的竞争解决方案相比，美光提供的容量增加了50%，而在给定的堆栈高度下，其性能也将得到进一步提升。这一创新产品预计将在未来几年内推向市场，进一步巩固美光在内存市场上的领先地位。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：美光推出业界首款24GB HBM3 Gen2：性能提升50%，引领内存市场新潮流
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