SK海力士是一家在闪存存储领域具有领先地位的公司。他们最近宣布正在开发300层以上的NAND闪存，并通过发布321层4D NAND样品正式成为业界首家进行该项研发的公司。
这项技术进步将带来更大的存储容量和更高的效率。 321层的1Tb TLC NAND闪存相较于上一代238层的512Gb闪存提高了59%的效率。这是由于在相同大小的芯片上，能够堆叠更多的单元，增加存储容量，从而提高单位晶圆上的芯片产量。
除了321层闪存的进一步改进，SK海力士还推出了针对企业级和移动设备的下一代NAND产品解决方案。这包括采用PCIe 5 （Gen5）接口的企业级固态硬盘（eSSD）和UFS 4.0闪存。
这些产品的推出将满足不同领域的需求。 SK海力士表示，他们将基于目前的产品技术积累和不断优化内部解决方案的基础上，积极开发下一代的PCI 6.0和UFS 5.0产品，以继续引领市场。这表明他们将继续关注技术创新和提高产品性能，以满足未来市场需求。
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