8 月 20 日消息，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层；而 SK 海力士计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。
实际上，提高存储密度的手段除了提高层数外也还包括其他方案。目前，4bit 单元（QLC）型 3D NAND 闪存已经实现商业化，而且 SSD 受益于此也已经变成了“白菜价”。
虽然 SSD 目前已经有开始涨价的迹象，但几家大厂已经开始研发下一代的 5 bit 单元（PLC）方案，相信接下来大家就能用上容量更大、速度更快的固态硬盘。
在 FMS 2023 闪存峰会上，SK 海力士就展示了其新型 PLC（5-Bit MLC）技术的研究成果。
这一技术原理上类似铠侠 2019 年开发的 Twin BiCS FLASH 技术，简单来说就是用两个 2.5 bit 单元，这样双线程同时写入的话一定会比 5 bit 存储快得多。
在 5 bit 单元中，一个存储单元中可以包含 32 个不同的阈值电压（IT之家注：即 25），而常规方式下用 PLC 写入并验证 32 个不同的阈值电压所需时间是 TLC 的近 20 倍，这显然是用户无法接受的。
因此，SK 海力士设计了一种新型 PLC，将一个 5bit 单元分为两个 2.5 bit 点位，每个点也存储 2.5 bit。然后综合各个点的数据获得 5 bit 数据，这样就可以使 PLC 写入时间与 TLC（3bit 单元）大致相同。
实际上，Solidigm 一年前已经展示过首款采用 PLC-NAND 的 SSD，它沿用了当前 QLC-NAND 一样的 192 层闪存，但由于每个单元由 5 bit（而非 4 bit）点组成，其密度增加至 23.3 Gbit / mm²，创下了最高记录；而凭借 321 层的第 9 代新型 TLC-NAND，预计 SK 海力士有望达到 20 Gbit / mm² 以上的密度。当然，更多的层数也意味着更多的工作步骤和更高的成本，预计早期产品依然还会很贵。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：SK 海力士展示新型 PLC闪存：采用双 2.5 bit 单元，写入速度看齐 TLC
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