PLC 闪存
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SK 海力士展示新型 PLC闪存：采用双 2.5 bit 单元，写入速度看齐 TLC
8 月 20 日消息，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层；而 SK 海力士计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的…
8 月 20 日消息，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层；而 SK 海力士计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的…
