闪存

8 月 20 日消息，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层；而 SK 海力士计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的…

京电子（TEL）最近宣布，他们的等离子体蚀刻系统试验基地成功研发出一种创新的通孔蚀刻技术，该技术可用于制造堆叠层数超过400层的先进3D NAND闪存芯片。新技术引入了电介质蚀刻技…

三星表示，3D制造工艺的 NAND闪存产品数据存储能力正在不断提升，这主要得益于物理缩放技术、逻辑缩放技术、32 DIE堆叠封装三个领域的演变。其中，物理缩放技术包括横向/垂直收缩…

海力士代表在ISSCC 3大会上公布了公司在2023D NAND开发方面的最新突破。揭示了具有300多个层的新闪存原型的细节，该公司表示，一个由35名工程师组成的团队为演示材料做出…

闪存市场面临着需求逆风，而供应链则积极推进去库存以应对这一挑战。这种市场情况导致了第四季闪存芯片合约价格下跌20~25%，其中Enterprise SSD的跌幅更是高达23~28%…

闪存芯片的进化方向非常明确，那就是通过更多层地堆叠来实现更快的读写速度，同时提高单位面积的存储容量，降低存储成本。在ISSCC 2023期间，35名SK海力士工程师联名提交了论文，…

按照 AMD 及其合作厂商的规划，PCIe 5.0 SSD 将在本月开始上市。在 2022 年闪存峰会上，AMD 和群联展示了在锐龙 7000 平台上运行的 E26 主控 PCIe…

由于NAND供应持续数月过剩，固态硬盘的价格也一直在下降。TrendForce分析师在一份新报告中指出，这一趋势将在2022年4季度变得更加严重。预计NAND闪存价格会在下季度下调…

起初，NAND Flash的发展是从2D 平面结构开始，但在尺寸微缩及密度增加的压力下，NAND Flash由平面结构升级为三维架构，并通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（…

旷日已久的缺芯潮在近日出现松动迹象，各类芯片价格趋势分化明显，部分汽车、工控品类芯片价格持续上涨，产销两旺；而显示驱动芯片、模拟芯片、消费型MCU、DRAM与NAND Flash、…

美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在 2022 年底左右开始…

SK 海力士去年年底宣布完成了收购英特尔 NAND 闪存及 SSD 业务案的第一阶段，并在美国设立了 SSD 子公司 Solidigm。 今日，SK 海力士和 Solid…