美光发布232层3D NAND闪存:明年将会是固态硬盘容量翻倍的一年

美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存,该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品,包括固态硬盘,并计划在 2022 年底左右开始量产此类芯片。

美光的 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构,原始容量为 1Tb(128GB)。该芯片基于美光的 CuA 架构,并使用 NAND 字符串堆叠技术,在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。

美光发布232层3D NAND闪存
美光发布232层3D NAND闪存

CuA 设计加上 232 层 NAND,将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸,这有望降低生产成本,使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价,或者增加其利润率。

美光没有宣布其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面数量,但暗示与现有的 3D NAND 设备相比,新的内存将提供更高的性能,这对采用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特别有用。

谈到固态硬盘,美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出,该公司已经与内部和第三方 NAND 控制器(用于固态硬盘和其他基于 NAND 的存储设备)的开发者密切合作,以实现对新型内存的支持。

美光发布232层3D NAND闪存:明年将会是固态硬盘容量翻倍的一年

在其 232 层 3D TLC NAND 的其他优势中,美光还提到与上一代节点相比功耗更低。

考虑到美光将在 2022 年年底开始生产 232 层 3D TLC NAND 设备,预计采用新内存的固态硬盘将在 2023 年左右到来。

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