美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在 2022 年底左右开始量产此类芯片。
美光的 232 层 3D NAND 闪存采用 3D TLC 架构，原始容量为 1Tb（128GB）。该芯片基于美光的 CuA 架构，并使用 NAND 字符串堆叠技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 阵列。
CuA 设计加上 232 层 NAND，将大大减少美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸，这有望降低生产成本，使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价，或者增加其利润率。
美光没有宣布其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND 设备相比，新的内存将提供更高的性能，这对采用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特别有用。
谈到固态硬盘，美光的技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出，该公司已经与内部和第三方 NAND 控制器（用于固态硬盘和其他基于 NAND 的存储设备）的开发者密切合作，以实现对新型内存的支持。
在其 232 层 3D TLC NAND 的其他优势中，美光还提到与上一代节点相比功耗更低。
考虑到美光将在 2022 年年底开始生产 232 层 3D TLC NAND 设备，预计采用新内存的固态硬盘将在 2023 年左右到来。
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