3D NAND

京电子（TEL）最近宣布，他们的等离子体蚀刻系统试验基地成功研发出一种创新的通孔蚀刻技术，该技术可用于制造堆叠层数超过400层的先进3D NAND闪存芯片。新技术引入了电介质蚀刻技…

起初，NAND Flash的发展是从2D 平面结构开始，但在尺寸微缩及密度增加的压力下，NAND Flash由平面结构升级为三维架构，并通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（…

美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在 2022 年底左右开始…