京电子（TEL）最近宣布，他们的等离子体蚀刻系统试验基地成功研发出一种创新的通孔蚀刻技术，该技术可用于制造堆叠层数超过400层的先进3D NAND闪存芯片。新技术引入了电介质蚀刻技术的低温液体中，从而创造出一种高速蚀刻系统，仅需要33分钟就能完成深度达10微米的高纵横比蚀刻。
此外，使用这种技术所生产的3D NAND芯片具有更高的容量和稳定性，这是由于蚀刻形成的几何结构更加显著。
东京电子还公布了一些通孔刻画图像，以进一步展示他们的研究成果，比如：横截面扫描电子显微镜（SEM）图像，它显示了蚀刻后通孔图案的结构；离子束切割（FIB）图像则显示了孔的底部。还有一种东京电子3D NAND闪存芯片的实例，也被用来展示他们的创新技术。
预计东京电子的团队将于2023年6月11日至6月16日，在京都举行的2023年超大规模集成电路技术和电路研讨会上，展示他们的创新成果。这一国际半导体研究会议可以让东京电子展示他们改进半导体技术的技术和方法，为该领域的未来发展做出贡献。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：东京电子开发出全新蚀刻技术，用于堆叠超过400层的3D NAND闪存芯片
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