东京电子

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  东京电子开发出全新蚀刻技术，用于堆叠超过400层的3D NAND闪存芯片

  京电子（TEL）最近宣布，他们的等离子体蚀刻系统试验基地成功研发出一种创新的通孔蚀刻技术，该技术可用于制造堆叠层数超过400层的先进3D NAND闪存芯片。新技术引入了电介质蚀刻技…

  2023年6月13日

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