海力士代表在ISSCC 3大会上公布了公司在2023D NAND开发方面的最新突破。揭示了具有300多个层的新闪存原型的细节，该公司表示，一个由35名工程师组成的团队为演示材料做出了贡献。为了突出原型改进带来的性能提升，将其与SK海力士之前持有第七代238层3D NAND的记录进行了比较。新的第八代3D NAND发布的带宽数据最大为194 MB / s，与旧型号的164 MB / s速率形成鲜明对比，性能提高了18%。
记录密度也受益于 300+ 有源层设计，SK Hynix提到 1 TB （128 GB） 容量，具有三级单元和超过 20 GB/mm^2 的位密度。该芯片具有 16 KB 页面大小、四个平面和一个 2400 MT/s 接口。密度的增加将导致制造过程中每TB成本的降低。希望最终消费者最终将从性能和容量的提升中受益。已经确定了第八代3D NAND的五个技术实施领域：
- 三重验证程序 （TPGM） 功能可缩小电池阈值电压分布并将 tPROG（编程时间）减少 10%，从而转化为更高的性能
- 自适应未选择字符串预充电 （AUSP） – 另一种将 tPROG 降低约 2% 的程序
- 全通上升 （APR） 方案可将 tR（读取时间）减少约 2%，并缩短字行上升时间
- 编程虚拟串 （PDS） 技术，通过降低通道电容负载来缩短 tPROG 和 tR 的世界线建立时间
- 平面级读取重试 （PLRR） 功能，允许在不终止其他平面的情况下更改平面的读取级别，从而立即发出后续读取命令并提高服务质量 （QoS） 和读取性能
海力士的代表没有为其尖端3D NAND的生产和最终发布日期提供任何确切的时间框架。行业监管机构估计，内存板要到2024年底或2025年的某个时候才能上架。与此同时，SK海力士的第七代238层3D NAND预计将被整合到将于2023年发布的新内存产品的生产周期中。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：海力士第八代300层3D NAND世界首创，打破带宽记录！
微信扫一扫