海力士昨天宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，目前与生产智能手机的海外客户正进行产品验证。并且强调，以此为基础已开发出适用于智能手机和PC的客户端SSD解决方案产品，并确保了成本、性能和品质方面的竞争力，期待可以在下半年起到改善公司业绩的牵引作用。
早在去年8月，海力士就已宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。
相比3D方式，海力士在4D架构芯片上采用了电荷捕获型技术（Charge Trap Flash，CTF）和PUC（Peri. Under Cell）技术，具有单元面积更小、生产效率更高的优点。
238层4D NAND闪存是世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。其数据传输速率为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读写性能也有约20%的改善。
据了解，SK海力士计划在完成智能手机客户的验证后，首先会向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5. 0 标准的PC平台SSD和数据中心级高容量SSD产品等。SK海力士表示，会继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：海力士宣布量产 238 层 4D NAND 闪存：速度提升 50% 达 2.4Gbps，
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