海力士发布首个12层堆叠 HBM3内存颗粒：最大单颗支持24GB

2023年4月23日上午9:43 • 新闻 • 阅读 259

海力士宣布，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。另外表示，这是最高性能DRAM的再次超越，突破了HBM3的技术界限。

去年6月，海力士首次在业界量产HBM3 DRAM，应用在英伟达H100计算卡上。当时英伟达向SK海力士采购的是带宽为819 GB/s的HBM3，与JEDEC去年年初发布的HBM3高带宽内存标准相符。这次海力士将HBM3 DRAM的容量提升了50%，提供了24GB套装的产品。

海力士认为，随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，决定从今年下半年起，将新款HBM3 DRAM推向市场，以满足市场需求。SK海力士已向合作伙伴提供了24GB HBM3 DRAM样品，客户对此产品都抱有极大的期待。

据了解，海力士的技术团队在新产品中采用了先进（Advanced）MR-MUF3和TSV4技术，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

据了解，SK海力士在此次此新产品采用了MR-MUF和TSV技术。SK海力士表示，通过MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

TSV技术指的是硅通孔技术，在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装技术。采用该技术的SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清（Full-HD）电影，最大速度可达819GB/s。

HBM DRAM是实现需要高性能计算的生成式AI所必要的存储器半导体产品，第一代HBM DRAM在2013年首次亮相。最新规格的HBM3 DRAM被认为能够快速处理庞大数据的首选产品，目前大型科技公司的需求也在不断扩大。