RainierQX/Q系列包含两颗针对不同应用的芯片：用于无DRAM的低成本客户端解决方案的IG5220，以及用于带DRAM的高端客户解决方案的IG5221。
IG5220/IG5221采用先进的12nm FinFET CMOS 制造工艺，是一款业界领先的PCIe Gen4 x4、NVMe 1.4 SSD主控芯片，支持容量高达4TB/8TB。
IG5220具有增强的无DRAM架构，并全面支持HMB功能。 IG5221可集成16位的DDR SDRAM，支持容量高达8GB。
RainierQX/Q具有4个NAND通道，可通过ONFI接口或Toggle模式接口，支持SLC、MLC、TLC和QLC的NAND闪存操作。
IG5220/IG5221采用了包括国密标准SM2/3/4、AES、SHA、RSA、ECC、CRC、RAID和端到端数据保护在内的多重数据加密和保护机制，实现了最高级别的安全性能。
采用英韧自主研发的第三代LDPC ECC技术（即第二代 4K LDPC），可以大幅改善数据持久保存的能力，从而为SSD方案提供更好的可靠性和超高的性能。
功能
| NVMe 1.4，NVM开放通道 | PCIe Gen4 ×4 |
| NAND接口速度支持1600MT/s和2400MT/s | ONFI 5.0 和 Toggle 2.0/3.0/4.0/5.0 |
| 英韧特有的第二代4K LDPC ECC | 支持对TCM/Cache/SRAM/DDR的ECC保护 |
| IG5221: DDR3L/DDR4/LPDDR4，8GB | SM 2/3/4，AES 128/256，SHA 3-256， RSA1024/2048/3072/4096 |
| 16 个命名空间(Namespace) | 支持SR-IOV，多达8个虚拟化功能 |
指标
| 容量 | 4TB (IG5220) / 8TB (IG5221) | |
| 封装 | IG5220 | IG5221 |
| 216球，7.5mm x 11mm TFBGA 361球，12mm x 12mm TFBGA | 361球，12mm x 12mm TFBGA | |
| 最高性能 | 顺序读取：5100 MB/s | 顺序写入：5000 MB/s |
| 随机读取：800K IOPs | 随机写入：600K IOPs | |
| 功耗 | 峰值 | 2.5W |
| PS3 | 10mW | |
| PS4 | < 2mW |
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：英韧科技 INNOGRIT RainierQX/Q (IG5220/IG5221) 主控 参数 性能 功能
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