英韧科技 INNOGRIT RainierQX/Q (IG5220/IG5221) 主控 参数 性能 功能

英韧科技 INNOGRIT RainierQX/Q (IG5220/IG5221) 主控 参数 性能 功能

RainierQX/Q系列包含两颗针对不同应用的芯片:用于无DRAM的低成本客户端解决方案的IG5220,以及用于带DRAM的高端客户解决方案的IG5221。

IG5220/IG5221采用先进的12nm FinFET CMOS 制造工艺,是一款业界领先的PCIe Gen4 x4、NVMe 1.4 SSD主控芯片,支持容量高达4TB/8TB。

IG5220具有增强的无DRAM架构,并全面支持HMB功能。 IG5221可集成16位的DDR SDRAM,支持容量高达8GB。

RainierQX/Q具有4个NAND通道,可通过ONFI接口或Toggle模式接口,支持SLC、MLC、TLC和QLC的NAND闪存操作。

IG5220/IG5221采用了包括国密标准SM2/3/4、AES、SHA、RSA、ECC、CRC、RAID和端到端数据保护在内的多重数据加密和保护机制,实现了最高级别的安全性能。

采用英韧自主研发的第三代LDPC ECC技术(即第二代 4K LDPC),可以大幅改善数据持久保存的能力,从而为SSD方案提供更好的可靠性和超高的性能。

功能

NVMe 1.4,NVM开放通道PCIe Gen4 ×4
NAND接口速度支持1600MT/s和2400MT/sONFI 5.0 和 Toggle 2.0/3.0/4.0/5.0
英韧特有的第二代4K LDPC ECC支持对TCM/Cache/SRAM/DDR的ECC保护
IG5221: DDR3L/DDR4/LPDDR4,8GBSM 2/3/4,AES 128/256,SHA 3-256, RSA1024/2048/3072/4096
16 个命名空间(Namespace)支持SR-IOV,多达8个虚拟化功能

指标

容量4TB (IG5220) / 8TB (IG5221) 
封装IG5220IG5221
216球,7.5mm x 11mm TFBGA 361球,12mm x 12mm TFBGA 361球,12mm x 12mm TFBGA
最高性能 顺序读取:5100 MB/s顺序写入:5000 MB/s
随机读取:800K IOPs随机写入:600K IOPs
功耗  峰值2.5W
PS310mW
PS4< 2mW

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