英韧科技 INNOGRIT RainierDC IG5636 主控 参数 性能 功能

英韧科技 INNOGRIT RainierDC IG5636 主控 参数 性能 功能

Rainier系列包含两颗针对不同应用的芯片:用于高端客户端应用的IG5236,用于数据中心和企业级应用的IG5636。

Rainier IG5636 采用先进的12nm FinFET CMOS 制造工艺,是一款业界领先的PCIe Gen4 x4、NVMe 1.4 固态硬盘主控芯片,支持容量高达16TB。

IG5636 支持数据总线位宽为(32+8)位或32位的DDR SDRAM。Rainier具有八个NAND通道,可通过ONFI 4.1或 Toggle 2.0/3.0/4.0接口,支持MLC、TLC和QLC NAND闪存。

IG5636 采用包括AES、国密标准SM2/3/4、SHA、RSA、ECC、CRC和端到端数据保护在内的多种数据加密和保护机制,实现了最高级别的安全性能。英韧特有的ECC技术,可以大幅改善数据持久保存的能力,为SSD方案提供更好的可靠性和超高的性能。

功能

NVM开放通道支持SR-IOV,具有多达32个虚拟化功能
英韧特有的 4K LDPC ECCDDR3L/4, LPDDR3/4, 容量高达16GB
多个命名空间 (Namespace)支持对TCM/Cache/SRAM/DDR的ECC保护
NAND接口速度高达1200MT/sAES 128/256, SM 2/3/4, SHA3-256, RSA4096

指标

接口PCIe Gen4 x4 
封装575球 FCBGA15mm x 15mm 
最高性能顺序读取:7.4 GB/s顺序写入:6.4 GB/s
 随机读取:1000K IOPs随机写入:800K IOPs
功耗 峰值3W
PS350mW
PS4< 2mW

原创文章,作者:大柱,如若转载,请注明出处:英韧科技 INNOGRIT RainierDC IG5636 主控 参数 性能 功能

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