铠侠、西数成功研发第五代 BiCS NAND 闪存,BiCS5 3D 堆栈 112 层、速度加快 50%

铠侠、西数 成功研發第五代 BiCS NAND 快閃記憶體,BiCS5 3D 堆叠达到 112 层、速度加快 50%

铠侠和西数这两家在NAND型闪存相互合作的厂商,近日正式宣布成功研发第五代BiCS系列NAND闪存。BiCS5不仅在3D堆叠层数达到112层,I/O频宽也有所改良,相较前一世代BiCS4,部分测试项目性能增进达50%。

如果读者不熟悉铠侠是何许人也?其实就是过去的Toshiba Memory易名而来,仍旧专注于非挥发性內存的研发与生产工作。在NAND型內存领域相互合作的铠侠和西数 2家公司,均于近日正式宣布完成第五代BiCS(Bit Cost Scalable)的研发。

据悉,BiCS5将3D堆叠层数从前一世代BiCS4的96层提升至112层,铠侠表示单位面积容量提升20%(西数所提供数据为单一晶圆容量提升50%),2020上半年初期样品将采用TLC储存形式,单一晶粒容量为512Gbit,未来预计将同步提供TLC和QLC储存形式产品,单一晶粒最高容量将达1Gb和1.33Gb。

铠侠 和 西数 合作宣布已開發完成第五世代 BiCS NAND 型快閃記憶體顆粒,BiCS5 堆疊層數將達 112 層,也會提供 TLC 以及 QLC 紀錄形式的產品。

铠侠和西数合作宣布已开发完成第五世代BiCS NAND型闪存颗粒,BiCS5堆叠层数将达112层,也会提供TLC以及QLC纪录形式的产品。

BiCS5内部结构把逻辑电路摆在数据储存cell的下方,称为CuA(Circuit under Array),内部plane数量预计将有所提升,于使用Toggle模式的情形下,目前官方给予的传输速度数据为BiCS4的1.5倍,也就是提升50%数据吞吐量,预计搭载至新一代PCIe 4.0 x4 NVMe SSD会有不错的表现。

原创文章,作者:大柱,如若转载,请注明出处:铠侠、西数成功研发第五代 BiCS NAND 闪存,BiCS5 3D 堆栈 112 层、速度加快 50%

(1)
上一篇 2021年4月27日
下一篇 2021年4月27日

相关文章

  • 宽温大容量工业级固态硬盘的优势主要体现在以下几个方面:

    宽温大容量工业级固态硬盘适用于各种恶劣环境下的高性能、高可靠性应用场景,如军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等领域。在这些场景中,宽温大容量工业级固态…

    2023年12月30日
    0560
  • 固态硬盘有什么优势?【科普】

    硬盘,也叫存储设备。是当今时代数码产品不可或缺的东西,手机、电脑、相机、服务器,凡是需要存储数据的,都少不了硬盘的存在。硬盘可以分为机械硬盘和固态硬盘两种,在过去很长时间,机械硬盘…

    2023年6月23日
    03120
  • 手机闪存 UFS 3.1是什么?

    UFS(Universal Flash Storage,通用闪存)是一种高性能的存储解决方案,广泛应用于智能手机、平板电脑等移动设备中。 UFS 3.1 相较于 UFS 3.0 和…

    2023年6月4日
    03830
  • 国产固态硬盘怎么选?

    很多电脑小白用户在购买硬盘时往往会忽略其中一个的重要参数,那就是硬盘的颗粒。硬盘产品的颗粒质量决定着一块硬盘产品的性能上下限,大部分极其便宜的固态通常都会采用二手颗粒、废旧颗粒,这…

    2023年5月24日
    03250
  • M.2 接口【科普】

    在储存行业中储存设备会涉及到各种各样的接口问题,而不同的接口又迎向不同环境所需要的产品,例如我们此时此刻所需要跟大家科普的一种储存接口——M.2。 M.2接口的金手指,分为B-Ke…

    2023年3月26日
    06730
  • DDR5 内存【硬件科普】

    DDR5是一种计算机内存规格。 与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加…

    2023年3月15日 科普
    04340

发表回复

登录后才能评论
业务联系 投稿
返回顶部