铠侠、西数成功研发第五代 BiCS NAND 闪存,BiCS5 3D 堆栈 112 层、速度加快 50%

铠侠、西数 成功研發第五代 BiCS NAND 快閃記憶體,BiCS5 3D 堆叠达到 112 层、速度加快 50%

铠侠和西数这两家在NAND型闪存相互合作的厂商,近日正式宣布成功研发第五代BiCS系列NAND闪存。BiCS5不仅在3D堆叠层数达到112层,I/O频宽也有所改良,相较前一世代BiCS4,部分测试项目性能增进达50%。

如果读者不熟悉铠侠是何许人也?其实就是过去的Toshiba Memory易名而来,仍旧专注于非挥发性內存的研发与生产工作。在NAND型內存领域相互合作的铠侠和西数 2家公司,均于近日正式宣布完成第五代BiCS(Bit Cost Scalable)的研发。

据悉,BiCS5将3D堆叠层数从前一世代BiCS4的96层提升至112层,铠侠表示单位面积容量提升20%(西数所提供数据为单一晶圆容量提升50%),2020上半年初期样品将采用TLC储存形式,单一晶粒容量为512Gbit,未来预计将同步提供TLC和QLC储存形式产品,单一晶粒最高容量将达1Gb和1.33Gb。

铠侠 和 西数 合作宣布已開發完成第五世代 BiCS NAND 型快閃記憶體顆粒,BiCS5 堆疊層數將達 112 層,也會提供 TLC 以及 QLC 紀錄形式的產品。

铠侠和西数合作宣布已开发完成第五世代BiCS NAND型闪存颗粒,BiCS5堆叠层数将达112层,也会提供TLC以及QLC纪录形式的产品。

BiCS5内部结构把逻辑电路摆在数据储存cell的下方,称为CuA(Circuit under Array),内部plane数量预计将有所提升,于使用Toggle模式的情形下,目前官方给予的传输速度数据为BiCS4的1.5倍,也就是提升50%数据吞吐量,预计搭载至新一代PCIe 4.0 x4 NVMe SSD会有不错的表现。

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