铠侠和西数这两家在NAND型闪存相互合作的厂商，近日正式宣布成功研发第五代BiCS系列NAND闪存。BiCS5不仅在3D堆叠层数达到112层，I/O频宽也有所改良，相较前一世代BiCS4，部分测试项目性能增进达50%。
如果读者不熟悉铠侠是何许人也？其实就是过去的Toshiba Memory易名而来，仍旧专注于非挥发性內存的研发与生产工作。在NAND型內存领域相互合作的铠侠和西数 2家公司，均于近日正式宣布完成第五代BiCS（Bit Cost Scalable）的研发。
据悉，BiCS5将3D堆叠层数从前一世代BiCS4的96层提升至112层，铠侠表示单位面积容量提升20%（西数所提供数据为单一晶圆容量提升50%），2020上半年初期样品将采用TLC储存形式，单一晶粒容量为512Gbit，未来预计将同步提供TLC和QLC储存形式产品，单一晶粒最高容量将达1Gb和1.33Gb。
铠侠和西数合作宣布已开发完成第五世代BiCS NAND型闪存颗粒，BiCS5堆叠层数将达112层，也会提供TLC以及QLC纪录形式的产品。
BiCS5内部结构把逻辑电路摆在数据储存cell的下方，称为CuA（Circuit under Array），内部plane数量预计将有所提升，于使用Toggle模式的情形下，目前官方给予的传输速度数据为BiCS4的1.5倍，也就是提升50%数据吞吐量，预计搭载至新一代PCIe 4.0 x4 NVMe SSD会有不错的表现。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：铠侠、西数成功研发第五代 BiCS NAND 闪存，BiCS5 3D 堆栈 112 层、速度加快 50％
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