东芝(Toshiba)64L NAND BiCS3 FLASHI

当各家SSD控制器供货商在产品设计屡屡推陈出新、技术愈臻成熟稳定时,SSD也开始跨足企业储存市场。迄今最新支持PCI-e接口的SSD应用控制器足以支持PCI-e Gen3×4,传输带宽近32Gbps,远远超越过去SATA3.0的6Gbps带宽,预期PCI-e SSD需求会愈来愈高,甚至有机会取代SATA SSD,也是时候顺势进入企业储存市场,因应市场应用随之推出适合的PCI-e SSD。

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企业储存常见的三个应用范畴分别是内容传递(Content Delivery)、虚拟环境(Virtual Environments)和数据库管理(Database Management),根据其市场而个别引进强调读取、专注写入或读写兼具的SSD(表1)。

借着内容传递作为商业模式的市场如网络服务、云端运算和Metadata加速搜寻市场等,采用的SSD储存装置着重读取速度和延迟(Latency)效能;虚拟环境下的虚拟平台同时要求随机读写IOPS(Input/Out put Operations Per Second)和低延迟,适合选用读写兼具的SSD;至于数据库管理如数据中心强调数据记录与备份,写入取胜的SSD更容易脱颖而出。

东芝固态硬盘

前段时间拿到一个东芝Toshiba的盘子,然后今天分享一下,其中的一些内容,虽然这是一个已经过时的产品,不过也是去年底额巅峰产品,64L NVND FLASHI闪存,截止到目前依然是市面上主流的M.2 PCIE NVME SSD的主要储存芯片。

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这是拆下后的特写,来自东芝(Toshiba) 64L NVND FLASHI BiCS3 ,编号:TH58TFT0T23TA2H,产地为日本。东芝的闪存颗粒封装地主要有日本、台湾和大陆三处,但封装地不会影响闪存的品质,所有BiCS3闪存晶圆都是在东芝位于日本三重县四日市的Fab 6工厂制造。

闪存芯片编号

闪存编号对于普通玩家来说就像一段咒语,完全看不明白其中的含义。每个闪存原厂来说都有自己的一套编号定义规则,对于东芝闪存来说,所有闪存部件都以字母T开头,分为TC58和TH58两种,前者代表单芯片封装(颗粒内只有一个闪存die),后者代表多芯片封装(颗粒内有多于1个die)。我们在东芝TR200 960G固态硬盘中看到的是后者。

东芝闪存编号的第五位“T”代表闪存接口类型为Toggle:一种由东芝和三星领导的闪存接口标准,区别于美光和海力士提出的ONFI标准。第六位的“F”代表闪存工作的Vcc电压为2.35V~3.6V、VccQ电压为2.7V~3.6V或1.7V~1.95V。

第七和第八位需要连同在一起来看,代表闪存颗粒的容量,T0对应的是1T比特,也就是128GB。东芝TR200使用了8颗闪存,闪存总容量1024GB,扣除二级OP预留空间后实际可用为960GB。

芯片容量解释
第九位的“T“代表8 Level(3bit/cell),即TLC类型。第十位的2代表Page页大小为16KB。第11和第12位连在一起表达封装形式,TA表示使用无铅、无卤素环保工艺的TSOP封装。右数倒数第二位的“2”代表单闪存通道、2个CE引脚。

由公开资料可知,BiCS3是东芝第三代3D闪存,采用64层三维堆叠工艺,只有TLC一种类型,单Die容量256Gb或512Gb。

借助phison flash id识别工具,可以对闪存与主控的硬件配置情况进行一番验证,检测结果如下:东芝TR200 960G使用的PS3111主控内置32MB缓存,闪存规格为256Gb/die的东芝64层堆叠BiCS 3D TLC,每CE容量512Gb,Page大小为16KB。与上文中通过闪存编号得到的信息一致。

原创文章,作者:大柱,如若转载,请注明出处:东芝(Toshiba)64L NAND BiCS3 FLASHI

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