现在，固态硬盘的生长迅速，手艺也逐步成熟，对于选购固态硬盘不再只是容量选择的那么简朴，更多人群更在意的是性能与颗粒类型，而对于SSD颗粒类型，信托不少用户对QLC、SLC、MLC、TLC颗粒类型一无所知，而尤其是最新推出的搭载QLC颗粒的固态硬盘来说，不少用户称QLC颗粒欠好。那么QLC颗粒怎么样？下面搞机网晓龙分享一下固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识。
固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识
凭证NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单条理存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC（四层存储单元）。固态硬盘依赖闪存芯片来存储数据，内里存放数据最小单元叫作“Cell”，SLC每个cell可以存放1bit数据，MLC每个cell可以存放2bit数据，TLC每个cell可以存放3bit数据，而QLC可以存放4bit数据。
为了小白更好的明白其中的意义，我来举个例子，我们将芯片可以看做一张画满格子的纸张，cell相当于纸张上的一个个的格子，数据看做是一个黄豆。也就是说，SLC方案每个格子中只能放入一颗黄豆，以是存储空间较小，MLC方案每个格子可以放入两颗黄豆，TCL方案每个格子可以放入三颗黄豆，而QLC方案每个格子可以存放四个黄豆，成本稳固的情形下，存储空间较大。要知道这个纸张（芯片晶圆）价钱也十分昂贵的，也就是说同样的晶圆若是做成SLC只有128G，做成MLC就有256G了，做成TLC的话酿成512G，而做成QLC我们可以做成更大容量，而成本是相同的。
QLC颗粒
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比
SLC（单层存储单元）
全称是Single-Level Cell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，SLC到达1bit/cell，写入数据的时刻电压转变区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以上，然则由于成本最高，以是SLC颗粒多数用于企业级高端产物中。
MLC（双层存储单元）
全称是Multi-Level Cell，使用崎岖电压的而差异构建的双层电子结构，MLC到达2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次左右，成真相对较高，然则对于消费级来说也可以接受，多用于家用级高端产物中。
TLC（三层存储单元）
全称是Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC到达3bit/cell，由于存储密度较高，以是容量理论上是MLC的1.5倍，成本较低，然则P/E寿命相对要低一些，理论擦写次数在1000-3000次不等，是现在市面上主流的闪存颗粒。
QLC（四层存储单元）
全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。
QLC、SLC、MLC、TLC颗粒对比
QLC颗粒为什么欠好？
每一个Cell单元存储数据越多，单元面积容量就越高，然则同时会导致差异电压状态越多，而且越难控制，以是接纳QLC颗粒的固态，虽然容量更大价钱更廉价，然则稳固性较差，而且P/E寿命较低，速率最慢。
总结：
QLC NAND最大的优势就是在于成本更低，相同的成本下能够做出更大容量的SSD，容量将不再受到限制，1TB容量对于QLC颗粒来说，都是小意思，几十到上百TB才是主流，大容量固态硬盘时代最先了。然则对于P/E寿命和速率来说，这是QLC颗粒最大劣势之处，P/E寿命的公式是擦写次数*容量/天天擦写量/365，然则QLC颗粒的固态硬盘容量都很大，假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘，天天擦写100G，也就是它的寿命=1024*100/100/365，约2.8年，另有这个最大写入次数也是理论上的，超出纷歧定就100%坏了，要害电脑不能能天天打开，也有休息的时刻，加之天天不能能都擦写100G，以是它的寿命也是不用太忧郁的，守候固态硬盘坏了，整台电脑也镌汰了。
QLC颗粒信托不少用户会说是手艺倒退，然则对于厂商来说，现在用户对存储容量需求随之提高，现在TLC和MLC颗粒大容量的固态硬盘价钱偏贵，更低成本更大容量才是未来趋势，信托QLC颗粒会使得固态硬盘进入大容量廉价时代。
原创文章，作者：大柱，如若转载，请注明出处：QLC颗粒怎么样？固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识
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